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2022-04
MP1658GTF-Z電源管理芯片對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大峰值電壓的應(yīng)用，必須考慮器件的雪崩能量。電壓峰值集中的能量主要由電感和電流決定。因此，對(duì)于反激式應(yīng)用，電路是關(guān)閉的。會(huì)產(chǎn)生很大的電壓尖峰。在正常情況下，功率器件會(huì)降額以留出足夠的電壓裕度。但
2022-04
MP174AGJ-Z電源管理芯片當(dāng)單脈沖雪崩發(fā)生時(shí)，持續(xù)時(shí)間一般在微秒級(jí)。由于熱電容的存在，瞬時(shí)熱量不足以傳遞到芯片引線框架和封裝，雪雪崩擊穿位置的溫度會(huì)急劇上升。當(dāng)超過(guò)PN結(jié)的極限溫度時(shí)，芯片的熱擊穿就會(huì)損壞。因此，單脈沖雪崩的極限溫度是PN結(jié)的熱
2022-04
MP200DS-LF-Z電源管理芯片在正向傳導(dǎo)中，電子從源極表面的反型層形成的溝道進(jìn)入漏極。在這個(gè)過(guò)程中，只有寄生體二極管在飽和區(qū)產(chǎn)生很小的電流分量。二極管和三極管對(duì)功率MOSFET影響不大。當(dāng)MP200DS-LF-Z電源管理芯片功率MOSFET器件
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什么是MOS管的雪崩？雪崩容限是指施加電壓時(shí)的擊穿電阻。當(dāng)功率MOSFET反向偏置時(shí)，內(nèi)部載流子會(huì)受到漏極電壓和電流等電氣量變化的影響。觸發(fā)雪崩倍增，導(dǎo)致功率 MOSFET 雪崩擊穿。功率MOSFET的雪崩容限是芯片中功率器件的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，它影響著
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MP2012DQ-LF-Z電源管理芯片在實(shí)際應(yīng)用設(shè)計(jì)中，輸出電壓在電纜上會(huì)有不同程度的壓降VCAB?？紤]到MP2012DQ-LF-Z電源管理芯片不同輸出電流下的VD基本不變，忽略這個(gè)因素，主要考慮與輸出電流成正比的VCAB。因此，為了提高輸出電壓的負(fù)
2022-04
MP2015AGG-Z電源管理芯片由關(guān)斷延遲時(shí)間引起的實(shí)際檢測(cè)到的峰值電流值，與輸入交流電壓的增加增加，而峰值電流值直接反映了輸出電流，所以輸出電流與輸入交流電壓的線性調(diào)整率會(huì)比較差。MP2015AGG-Z電源管理芯片利用反饋電壓FB腳的負(fù)電平檢測(cè)交
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