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2022-04
由于人體可以接觸到充電器的外殼，因此安規(guī)要求外殼溫度應(yīng)低于75度，以避免人體燙傷PD快充因功率密度較高、非正常工作條件下（如輝棉），避免溫度過高導(dǎo)致外殼熔化（一般PC材質(zhì)耐溫<125度）；因此，增加了輸出恒流，以避免在寬電壓輸出時(shí)由于某個(gè)工作點(diǎn)
2022-04
當(dāng)充電器在不同電壓下工作時(shí)，市電的持續(xù)高壓是充電器面臨的主要安全威脅之一。機(jī)器的罪魁禍?zhǔn)资荂2過熱、閥門損壞后為nF級(jí)電容，差模電感L1加上變壓器漏感和寄生電容振蕩，振蕩峰值電壓高達(dá)數(shù)百伏特，容易造成Q1擊穿，進(jìn)而損壞CS電阻等多個(gè)元件。受同樣的電量
2022-04
近年來，智能手機(jī)的發(fā)展越來越快。很多手機(jī)都搭載了PD快充技術(shù)，大大提升了我們手機(jī)的充電速度。但是，由于USB PD充電器功率密度的提高和輸出電壓范圍的拓寬，存在三大安全挑戰(zhàn)：主要是電網(wǎng)波動(dòng)帶來的安全挑戰(zhàn)、功率器件發(fā)熱的安全挑戰(zhàn)、安全挑戰(zhàn)對(duì)手機(jī) PMU
2022-04
MP4012DS-LF-Z電源管理芯片解決了以往使用肖特基二極管提高系統(tǒng)效率因在低壓和大電流系統(tǒng)中損耗二極管的瓶頸。MP4012DS-LF-Z電源管理芯片具有電流跟蹤和關(guān)斷技術(shù)，反激式芯片控制功率MOSFET。開關(guān)實(shí)現(xiàn)同步整流功能，為提高效率降低損耗
2022-04
MP4030GS-Z電源管理芯片包含同步整流控制器和N型功率MOSFET，內(nèi)置10mΩ 80V Trench MOSFET，適用于CCM、DCM和QR工作模式，具有電流跟蹤關(guān)斷技術(shù)，可準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)置功率MOSFET漏極和源極之間的電壓差使關(guān)斷閾值成為最
2022-04
MP4059GS-Z電源管理芯片包括同步整流控制器和高雪崩能力功率MOSFET，內(nèi)置11mΩ 60V Trench MOSFET，適用于3.6V-20V寬電源范圍工作，用于替代高性能AC/DC反激系統(tǒng)中的次級(jí)級(jí)整流肖特基二極管，MP4059GS-Z電
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