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2022-06
能夠攜帶盡可能多的電子元件是其中一個(gè)方面。減小電子元件之間的距離還有另一種效果，那就是減小不同晶體管端子的電流容量，從而提高它們的開(kāi)關(guān)頻率。因?yàn)楫?dāng)每個(gè)晶體管切換電子信號(hào)時(shí)，所消耗的動(dòng)態(tài)功耗將與電流容量直接相關(guān)，這將加快運(yùn)行速度并降低能耗。知道了這一點(diǎn)
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從目前的手機(jī)市場(chǎng)來(lái)看，大部分旗艦機(jī)型在處理器方面仍保持14nm和16nm制程，但在宣布三星10nm制程處理器年底準(zhǔn)備量產(chǎn)之后，14nm和16nm顯然已經(jīng)過(guò)了全盛時(shí)期。例如，高通驍龍825、828和830處理器預(yù)計(jì)將采用10nm技術(shù)制造。高通825將采
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除了高通，聯(lián)發(fā)科旗下的Helio X系列芯片也在努力沖擊高端市場(chǎng)。年底，Helio X30將采用臺(tái)積電的10nm FinFET Plus工藝，并在第一季度2017年進(jìn)行量產(chǎn)。三星的Exynos 8895預(yù)計(jì)將配備在明年的三星Galaxy S8之上，采
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對(duì)于廣大的國(guó)產(chǎn)手機(jī)來(lái)說(shuō)，常用的處理器不外乎高通驍龍、聯(lián)發(fā)科和麒麟。以高通驍龍為例，回顧以往的產(chǎn)品，可以看到，從最初的驍龍430，逐步提升到驍龍625，再到驍龍652和650，最后到現(xiàn)在的驍龍820和821。其中，CPU架構(gòu)也在不斷改進(jìn)，主頻從最高1.
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從最初的90nm，到后來(lái)的65nm、45nm、32nm，再到后來(lái)比較常見(jiàn)的28nm，逐漸增加到20nm，再到現(xiàn)在的16nm、14nm的更高性能配置，機(jī)身上也出現(xiàn)了少數(shù)10nm的制程。這個(gè)過(guò)程與我們的慣性思維不同，認(rèn)為尺寸越大，功能越強(qiáng)。一、MP165
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有許多其他因素會(huì)損壞您的電源管理芯片，例如靜電保護(hù)是否到位，芯片存儲(chǔ)的濕度和溫度是否符合要求，芯片的焊接溫度是否過(guò)高等。為了提高燒入產(chǎn)量，有必要從多個(gè)方面進(jìn)行工作。當(dāng)然，不易引起注意的細(xì)節(jié)也不應(yīng)被忽視。一、MP1652GTF-Z電源管理芯片完整信息介
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