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2022-06
國家和企業(yè)的持續(xù)投入對集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展至關重要。從歷史上看，由于缺乏持續(xù)的投入，我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展斷續(xù)停滯。結果，與國際先進水平的差距越來越大。為此，國家應進一步加大重大專項和重點科技計劃的力度，投入特別是技術研發(fā)經(jīng)費的投入必須是可持續(xù)的，才能
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在國家的大力支持和國家重大工程的引導下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈布局基本完善，一批企業(yè)脫穎而出。封裝技術從低端走向高端，技術達到國際先進水平; 關鍵設備和材料實現(xiàn)從無到有，部分產(chǎn)品進入14nm研發(fā)，制造工藝取得長足進步，28nm已進入量產(chǎn)，14nm研
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先進的半導體工藝致力于提高芯片性能和縮小體積。除了可靠的設計方法外，另一種方法是使用全新的材料，例如第35組化合物。此外，目前在元素周期表的半導體制程中已使用了四十五種以上的元素，比過去有顯著的增加。因此，在半導體工藝中使用新材料顯然是工業(yè)發(fā)展趨勢。
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據(jù)悉，在高級工藝的清洗步驟中，曝光的薄膜和材料的數(shù)量和類型都發(fā)生了變化，這凸顯了特殊清洗液的必要性。此外，磨削液顆粒的變化使許多傳統(tǒng)的CMP后清潔解決方案在高級工藝中使用時顯得效率低下或無效，尤其是在前端工藝 (FEOL) 中。這些困難促使半導體制造
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隨著當今先進的半導體工藝變得越來越復雜，其清潔度和可靠性要求也越來越嚴格，尤其是在10納米以下的先進工藝中，這推動了市場對過濾和凈化的需求增加。半導體工藝越來越復雜，尺寸越來越小。只要出現(xiàn)任何微小的雜質(zhì)，即使只是灰塵顆粒，產(chǎn)品也可以被破壞。因此，晶圓
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自旋電介質(zhì) (SOD) 具有優(yōu)異的空穴填充能力和局部平坦化效果，所形成的薄膜也具有較好的特性。該材料可以填充到非常小的間隙中，并且可以在間隙中形成非常薄的絕緣層，不僅可以為客戶提供更廣泛的工藝操作，而且可以為客戶帶來降低設備成本的優(yōu)勢。一、MP623
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