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芯片廠商具備各自的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，有望加快帶動(dòng)無(wú)人機(jī)市場(chǎng)的成本優(yōu)化與智能化。例如，高通傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)為無(wú)線通訊技術(shù)和低功耗計(jì)算;對(duì)比目前主要的無(wú)人機(jī)芯片解決方案，高通snapdragon flight 的CPU 尺寸最小、主頻最高。英特爾RealSense 實(shí)感技術(shù)快速推進(jìn)，未來(lái)在環(huán)境感知、測(cè)量等領(lǐng)域存在精度優(yōu)勢(shì)。無(wú)人機(jī)芯片市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)有利于發(fā)揮各個(gè)廠商的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)的溢出效應(yīng)，從而推動(dòng)無(wú)人機(jī)產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)步。

一、ZXMN6A08E6TA升降壓芯片的性能特點(diǎn)

? N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

? V(BR)DSS   60V

? RDS(ON)  80m? @ VGS=10V   ID TA = +25°C   3.5A

? RDS(ON)  150m? @ VGS=4.5V  ID TA = +25°C   2.5A

二、TLV431BQFTA升降壓芯片的性能特點(diǎn)

? 1.24V COST EFFECTIVE SHUNT REGULATOR

? Low-Voltage Operation VREF = 1.24V

? Temperature Range -40 to +125°C

? Reference Voltage Tolerance at +25°C

? 0.5% TLV431B

? 4mV (0°C to +70°C) 6mV (-40°C to +85°C) 11mV (-40°C to +125°C

? 80μA Minimum Cathode Current

? 0.25? Typical Output Impedance

? Adjustable Output Voltage VREF to 18V