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3D NAND技術(shù)復(fù)雜，由于成品率低，導(dǎo)致成本高。依三星的技術(shù)水平，估計(jì)它的48層3D NAND的成本已經(jīng)接近2D NAND，未來(lái)64層時(shí)可能會(huì)占優(yōu)勢(shì)。而其他的各廠(chǎng)家現(xiàn)階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國(guó)存儲(chǔ)廠(chǎng)商一些時(shí)間。 但是，不管如何，到2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)諾言量產(chǎn)3D NAND時(shí)，它的32層與三星可能已經(jīng)達(dá)100層相比絕不占優(yōu)勢(shì)。技術(shù)只是一個(gè)方面，更為嚴(yán)峻的是制造成本方面的差距。

一、MP5496升降壓芯片完整信息介紹

? 集成 4 個(gè) 4.5A/2.5A/4A/2A 降壓變換器、5 個(gè) LDO 的 2.8V 至 5.5V 電源管理 IC，通過(guò) I2C 和 OTP 進(jìn)行靈活的系統(tǒng)設(shè)置

? 0.6V 至 2.1875V/12.5mV 步進(jìn) VOUT范圍

? 工作輸入電壓范圍：2.8V - 5.5V

? 可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率

? 可配置強(qiáng)制 PWM 模式、自動(dòng) PFM/PWM 模式

? 過(guò)流保護(hù)自動(dòng)恢復(fù)功能（OCP）

? I2C 總線(xiàn)和 OTP

二、DMTH6016LPSQ-13升降壓芯片完整信息介紹

? 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

? BVDSS  60V

? RDS(ON)    ID TC = +25°C    16m? @ VGS = 10V    37.1A

? RDS(ON)    ID TC = +25°C    24m? @ VGS = 4.5V   30.3A